IT之家 11 月 1 日音书，阐述 DigiTimes 报说念，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 显现，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个增多到 4 个比特派钱包安卓版下载，有望显明改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的卓越地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，斟酌 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管增多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而普及性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和启动速率。

此外，更多的纳米片不错更好地适度电流比特派钱包安卓版下载，这有助于减少走电流，从而镌汰功耗。此外，创新的电流适度还意味着晶体管产生的热量更少，从而普及了功率收尾。

IT之家此前报说念，三星还斟酌在 1.4nm 工艺中选拔背部供电（BSPDN）技艺，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在专家规模内履行。

诚然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技艺节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺技艺亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩门道不停地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不停缩窄，从而对彼此产生箝制，而 BSPDN 技艺则不错克服这一收尾，这是因为咱们不错哄骗晶圆后面来构建供电门道，以分隔电路和电源空间。

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《三星斟酌 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电技艺》

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